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IPD06N03LA G

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MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 40µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 22 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2653 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 83W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3-11
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

IXTV26N50P
IXTV26N50P
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IRF3707SPBF
IPD12CN10N
NDS9407
NDS9407
$0 $/Stück
DMP2004KQ-7
PMPB16XNEAX
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NTD6415ANT4G
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