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IPD096N08N3GATMA1

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MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3

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IPD096N08N3GATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.51251 -
5,000 $0.48689 -
12,500 $0.46858 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 73A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9.6mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 46µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2410 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 100W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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