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IPD100N06S403ATMA1

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MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11

compliant

IPD100N06S403ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.63238 -
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 90µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 128 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 10400 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3-11
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

STL12N10F7
STL12N10F7
$0 $/Stück
ZVP2120GTC
STB200NF04L
APT40M42JN
2SK3826
2SK3826
$0 $/Stück
FDMC6688P
FDMC6688P
$0 $/Stück

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