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IPD14N06S280ATMA2

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IPD14N06S280ATMA2

MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31

SOT-23

nicht konform

IPD14N06S280ATMA2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.29013 -
2480 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 55 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 17A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 80mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 14µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 293 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 47W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3-11
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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