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IPD30N06S2L-13

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MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

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IPD30N06S2L-13 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 55 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 13mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 80µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 69 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1800 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 136W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3-11
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

PSMN004-55W,127
PSMN004-55W,127
$0 $/Stück
IXFN50N80Q2
IXFN50N80Q2
$0 $/Stück
NTB45N06LG
NTB45N06LG
$0 $/Stück
IPFH6N03LA G
IRFP264
IRFP264
$0 $/Stück
IRFU13N15D
IPP05N03LB G
IRF3711ZCSTRR

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