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IPD50N06S214ATMA1

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MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3

compliant

IPD50N06S214ATMA1 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 55 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 14.4mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 80µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 52 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1485 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 136W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3-11
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

IPP04N03LA
SI4435DYTR
BSP130,115
BSP130,115
$0 $/Stück
FDS6675
FDS6675
$0 $/Stück
IPI65R099C6
IXFN90N30
IXFN90N30
$0 $/Stück
SPI70N10L
FQB7N80TM
FDMS0302S

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