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IPI65R099C6

IPI65R099C6

IPI65R099C6

N-CHANNEL POWER MOSFET

IPI65R099C6 Technisches Datenblatt

compliant

IPI65R099C6 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ -
Technologie -
Drain-Source-Spannung (VDSS) -
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart -
Lieferantengerätepaket -
Paket / Koffer -
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Zugehörige Teilenummer

IXFN90N30
IXFN90N30
$0 $/Stück
SPI70N10L
FQB7N80TM
FDMS0302S
STW13NK50Z
STW13NK50Z
$0 $/Stück
IXFH15N100Q
IXFH15N100Q
$0 $/Stück
SI4835BDY-T1-E3
NTB75N06LT4
NTB75N06LT4
$0 $/Stück
IRF5805TR
NTD12N10T4G
NTD12N10T4G
$0 $/Stück

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