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IXFH15N100Q

IXFH15N100Q

IXFH15N100Q

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD

IXFH15N100Q Technisches Datenblatt

compliant

IXFH15N100Q Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 700mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 170 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 360W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

SI4835BDY-T1-E3
NTB75N06LT4
NTB75N06LT4
$0 $/Stück
IRF5805TR
NTD12N10T4G
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$0 $/Stück
IRFP264NPBF
IRFP264NPBF
$0 $/Stück
PHM12NQ20T,518
PHM12NQ20T,518
$0 $/Stück
IPS10N03LA G
STU90N4F3
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$0 $/Stück
FQPF8N60CT
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$0 $/Stück

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