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IPD60R3K4CEAUMA1

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MOSFET N-CH 650V 2.6A TO252-3

compliant

IPD60R3K4CEAUMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.17664 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.4Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 40µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 4.6 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 93 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 29W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

FDB6021P
APT32F120J
DMN6040SFDEQ-13
FDS8896
FDS8896
$0 $/Stück
STS7NF60L
STS7NF60L
$0 $/Stück
DMN6075SQ-7
NVMFS5C468NLWFAFT3G
NVMFS5C468NLWFAFT3G
$0 $/Stück
FDD8882
FDD8882
$0 $/Stück
NDD60N550U1-35G
NDD60N550U1-35G
$0 $/Stück

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