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IPD80R280P7ATMA1

IPD80R280P7ATMA1

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MOSFET N-CH 800V 17A TO252

compliant

IPD80R280P7ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $1.45619 -
5,000 $1.40226 -
482 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 17A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 280mOhm @ 7.2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 360µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 36 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1200 pF @ 500 V
FET-Funktion Super Junction
Verlustleistung (max.) 101W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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