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STL10N3LLH5

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MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT

STL10N3LLH5 Technisches Datenblatt

compliant

STL10N3LLH5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.56210 -
6,000 $0.53400 -
15,000 $0.51392 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 19mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 6 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±22V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 900 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (3.3x3.3)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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