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FDP150N10A-F102

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3

nicht konform

FDP150N10A-F102 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.36000 $2.36
10 $2.13400 $21.34
100 $1.72680 $172.68
800 $1.23061 $984.488
1,600 $1.13434 -
503 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 15mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1440 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 91W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

APT39M60J
FCB199N65S3
FCB199N65S3
$0 $/Stück
DMN3024LSS-13
BSC884N03MS G
DMN53D0L-13
IXFX27N80Q
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$0 $/Stück
FDMS86183
FDMS86183
$0 $/Stück
SIHG11N80AE-GE3
IRFZ44VPBF

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