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IXFX27N80Q

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IXYS

MOSFET N-CH 800V 27A PLUS247-3

IXFX27N80Q Technisches Datenblatt

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IXFX27N80Q Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $16.79800 $503.94
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 27A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 320mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 170 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 500W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PLUS247™-3
Paket / Koffer TO-247-3 Variant
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Zugehörige Teilenummer

FDMS86183
FDMS86183
$0 $/Stück
SIHG11N80AE-GE3
IRFZ44VPBF
STL10N65M2
STL10N65M2
$0 $/Stück
BUK7507-55B,127
BUK7507-55B,127
$0 $/Stück
SI2323CDS-T1-BE3
NVTYS004N03CLTWG
NVTYS004N03CLTWG
$0 $/Stück
ZXMN6A08GQTC

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