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IPDD60R190G7XTMA1

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MOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10

SOT-23

nicht konform

IPDD60R190G7XTMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,700 $1.48175 -
3,400 $1.37956 -
5,100 $1.32847 -
169 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 13A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 190mOhm @ 4.2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 210µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 718 pF @ 400 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 76W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-HDSOP-10-1
Paket / Koffer 10-PowerSOP Module
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