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IPG20N06S4L26ATMA1

IPG20N06S4L26ATMA1

IPG20N06S4L26ATMA1

MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8

compliant

IPG20N06S4L26ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
5,000 $0.40481 -
10,000 $0.38959 -
25,000 $0.38738 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A
rds ein (max) @ id, vgs 26mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 10µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1430pF @ 25V
Leistung - max. 33W
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-4
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Zugehörige Teilenummer

6LP04CH-TL-E
6LP04CH-TL-E
$0 $/Stück
SI6913DQ-T1-E3
IRF7530TRPBF
IRFR1109A
IRFR1109A
$0 $/Stück
PMGD290UCEAX
FDMD8680
FDMD8680
$0 $/Stück
SCH2408-TL-E
SCH2408-TL-E
$0 $/Stück

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