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SI6913DQ-T1-E3

SI6913DQ-T1-E3

SI6913DQ-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP

nicht konform

SI6913DQ-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.09365 -
6,000 $1.05570 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 12V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.9A
rds ein (max) @ id, vgs 21mOhm @ 5.8A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 900mV @ 400µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 28nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 830mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-TSSOP
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Zugehörige Teilenummer

IRF7530TRPBF
IRFR1109A
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$0 $/Stück
PMGD290UCEAX
FDMD8680
FDMD8680
$0 $/Stück
SCH2408-TL-E
SCH2408-TL-E
$0 $/Stück
SI4559ADY-T1-E3

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