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Name | Wert |
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Produktstatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 60 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 80A (Tc) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 4.5V, 10V |
rds ein (max) @ id, vgs | 6.7mOhm @ 80A, 10V |
vgs(th) (max) @ ID | 2.2V @ 40µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 72 nC @ 10 V |
vgs (max) | ±16V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 5680 pF @ 25 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 79W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | PG-TO262-3-1 |
Paket / Koffer | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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