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STF3LN80K5

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MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP

STF3LN80K5 Technisches Datenblatt

nicht konform

STF3LN80K5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.23000 $1.23
10 $1.09100 $10.91
100 $0.86240 $86.24
500 $0.66880 $334.4
1,000 $0.52800 -
3,000 $0.49280 -
5,000 $0.46816 -
30 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.25Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 2.63 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 102 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 20W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FP
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

IRFI4321PBF
CSD25404Q3T
CSD25404Q3T
$0 $/Stück
FDU8778
IRF7606TRPBF
FQPF10N60C
FQPF10N60C
$0 $/Stück
SI7431DP-T1-GE3
NDT01N60T1G
NDT01N60T1G
$0 $/Stück

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