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FQPF10N60C

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onsemi

MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F

FQPF10N60C Technisches Datenblatt

nicht konform

FQPF10N60C Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.46000 $2.46
10 $2.22200 $22.22
100 $1.78550 $178.55
500 $1.38870 $694.35
1,000 $1.15063 -
768 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 730mOhm @ 4.75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 57 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2040 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 50W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

SI7431DP-T1-GE3
NDT01N60T1G
NDT01N60T1G
$0 $/Stück
SI1032R-T1-GE3
SIR182DP-T1-RE3
NVTYS010N04CTWG
NVTYS010N04CTWG
$0 $/Stück
SCT3120AW7TL
EPC8002
EPC8002
$0 $/Stück

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