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PJD45N06A-AU_L2_000A1

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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

nicht konform

PJD45N06A-AU_L2_000A1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.22000 $1.22
500 $1.2078 $603.9
1000 $1.1956 $1195.6
1500 $1.1834 $1775.1
2000 $1.1712 $2342.4
2500 $1.159 $2897.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 45A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 12mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 39 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2256 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 75W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

NDT01N60T1G
NDT01N60T1G
$0 $/Stück
SI1032R-T1-GE3
SIR182DP-T1-RE3
NVTYS010N04CTWG
NVTYS010N04CTWG
$0 $/Stück
SCT3120AW7TL
EPC8002
EPC8002
$0 $/Stück
NTMFS4946NT1G
NTMFS4946NT1G
$0 $/Stück

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