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SIR182DP-T1-RE3

SIR182DP-T1-RE3

SIR182DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

compliant

SIR182DP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.84956 -
6,000 $0.82008 -
1232 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.8mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.6V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 64 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3250 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 69.4W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

NVTYS010N04CTWG
NVTYS010N04CTWG
$0 $/Stück
SCT3120AW7TL
EPC8002
EPC8002
$0 $/Stück
NTMFS4946NT1G
NTMFS4946NT1G
$0 $/Stück
BUK9610-100B,118
PMZ290UNE2YL

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