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IPLK60R1K0PFD7ATMA1

IPLK60R1K0PFD7ATMA1

IPLK60R1K0PFD7ATMA1

MOSFET N-CH 600V 5.2A THIN-PAK

compliant

IPLK60R1K0PFD7ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.53000 $1.53
500 $1.5147 $757.35
1000 $1.4994 $1499.4
1500 $1.4841 $2226.15
2000 $1.4688 $2937.6
2500 $1.4535 $3633.75
4285 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 6 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 230 pF @ 400 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 31.3W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-52
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

3LN01M-TL-H
3LN01M-TL-H
$0 $/Stück
SI2323DS-T1-E3
SCH1335-TL-H
SCH1335-TL-H
$0 $/Stück
SIDR626EP-T1-RE3
SIS178LDN-T1-GE3
FDD6670S
STH175N4F6-6AG

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