Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SIDR626EP-T1-RE3

SIDR626EP-T1-RE3

SIDR626EP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET

compliant

SIDR626EP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.49000 $3.49
500 $3.4551 $1727.55
1000 $3.4202 $3420.2
1500 $3.3853 $5077.95
2000 $3.3504 $6700.8
2500 $3.3155 $8288.75
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50.8A (Ta), 227A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.74mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 102 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5130 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8DC
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

SIS178LDN-T1-GE3
FDD6670S
STH175N4F6-6AG
MMIX1F360N15T2
MMIX1F360N15T2
$0 $/Stück
BS870Q-7-F
NVTFS6H850NWFTAG
NVTFS6H850NWFTAG
$0 $/Stück
FDD6030BL

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.