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IPP037N06L3G

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MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 90A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 3.7mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 93µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 79 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 13000 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 167W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

NVMFS5C442NLWFT3G
NVMFS5C442NLWFT3G
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PHB176NQ04T,118
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ZVN2106ASTOB
AUIRF7739L2
FQB4P25TM
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$0 $/Stück
R6030KNZC8
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SI3483DV-T1-GE3
STB185N55F3
IXTA110N055T
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