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IPP139N08N3G

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IPP139N08N3G

N-CHANNEL POWER MOSFET

nicht konform

IPP139N08N3G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.56000 $0.56
500 $0.5544 $277.2
1000 $0.5488 $548.8
1500 $0.5432 $814.8
2000 $0.5376 $1075.2
2500 $0.532 $1330
15617 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 45A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 13.9mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 33µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1730 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 79W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

NTTFS4929NTAG
NTTFS4929NTAG
$0 $/Stück
SUM50010E-GE3
SIHB22N60E-E3
AUIRL3705ZS
IXFT24N80P
IXFT24N80P
$0 $/Stück
SI7812DN-T1-E3
ZXMN6A11ZTA
PSMN028-100YS,115
IRL620PBF
IRL620PBF
$0 $/Stück
NTLUS4C16NTBG
NTLUS4C16NTBG
$0 $/Stück

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