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IPP80N06S2L-07

IPP80N06S2L-07

IPP80N06S2L-07

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

compliant

IPP80N06S2L-07 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 55 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 150µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 130 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3160 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 210W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-3-1
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

STV160NF02LAT4
NTD24N06T4G
NTD24N06T4G
$0 $/Stück
STI21NM60ND
SIS334DN-T1-GE3
FQI9N08LTU
FQI9N08LTU
$0 $/Stück
STB141NF55-1
IXFT60N25Q
IXFT60N25Q
$0 $/Stück
RFP8P05
FDMC6675BZ-T
FDMC6675BZ-T
$0 $/Stück

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