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IXFT60N25Q

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IXYS

MOSFET N-CH 250V 60A TO268

IXFT60N25Q Technisches Datenblatt

compliant

IXFT60N25Q Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 47mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 180 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5100 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 360W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268AA
Paket / Koffer TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Zugehörige Teilenummer

RFP8P05
FDMC6675BZ-T
FDMC6675BZ-T
$0 $/Stück
IXFH36N55Q
IXFH36N55Q
$0 $/Stück
IRF6728MTRPBF
SI1046R-T1-GE3
IXTQ98N20T
IXTQ98N20T
$0 $/Stück
R6030ENZ1C9
IRF9630STRR
IRF9630STRR
$0 $/Stück

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