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IPP80R1K2P7XKSA1

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MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3

nicht konform

IPP80R1K2P7XKSA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.54000 $1.54
10 $1.36400 $13.64
100 $1.07830 $107.83
500 $0.83620 $418.1
1,000 $0.66017 -
7 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 80µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 300 pF @ 500 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 37W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

R6015ANX
R6015ANX
$0 $/Stück
IXFK78N50P3
IXFK78N50P3
$0 $/Stück
SIHP18N50C-E3
STO67N60DM6
DMP2170U-7
RQ6E035TNTR
IRF710

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