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IPSA70R600CEAKMA1

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IPSA70R600CEAKMA1

MOSFET N-CH 700V 10.5A TO251-3

compliant

IPSA70R600CEAKMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.09000 $1.09
10 $0.95600 $9.56
100 $0.73770 $73.77
500 $0.54648 $273.24
1,000 $0.43718 -
4467 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 700 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 600mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 210µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 22 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 474 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 86W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO251-3
Paket / Koffer TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Zugehörige Teilenummer

SQD100N03-3M4_GE3
SQJA34EP-T1_GE3
IXTP32N65X
IXTP32N65X
$0 $/Stück
DMT68M8LFV-7
PMV40UN2R
PMV40UN2R
$0 $/Stück
DMP1009UFDFQ-13
C3M0120090J
C3M0120090J
$0 $/Stück

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