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IPT063N15N5ATMA1

IPT063N15N5ATMA1

IPT063N15N5ATMA1

TRENCH >=100V PG-HSOF-8

compliant

IPT063N15N5ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.64000 $6.64
500 $6.5736 $3286.8
1000 $6.5072 $6507.2
1500 $6.4408 $9661.2
2000 $6.3744 $12748.8
2500 $6.308 $15770
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 8V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.6V @ 153µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 59 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4550 pF @ 75 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-HSOF-8
Paket / Koffer 8-PowerSFN
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