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SIHA11N80AE-GE3

SIHA11N80AE-GE3

SIHA11N80AE-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 8A TO220

compliant

SIHA11N80AE-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.10000 $2.1
500 $2.079 $1039.5
1000 $2.058 $2058
1500 $2.037 $3055.5
2000 $2.016 $4032
2500 $1.995 $4987.5
22 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 450mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 804 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 31W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Full Pack
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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