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IPT60R125CFD7XTMA1

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IPT60R125CFD7XTMA1

MOSFET N-CH 600V 21A 8HSOF

nicht konform

IPT60R125CFD7XTMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.13000 $6.13
500 $6.0687 $3034.35
1000 $6.0074 $6007.4
1500 $5.9461 $8919.15
2000 $5.8848 $11769.6
2500 $5.8235 $14558.75
1170 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 21A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 125mOhm @ 6.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 340µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1330 pF @ 400 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 127W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-HSOF-8-1
Paket / Koffer 8-PowerSFN
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Zugehörige Teilenummer

SCT3160KLGC11
NX7002BKWX
NX7002BKWX
$0 $/Stück
MSC025SMA120B4
IRFR320TRRPBF
IXKP24N60C5
IXKP24N60C5
$0 $/Stück
BSS123-G
BSS123-G
$0 $/Stück
RFP12N10L
RFP12N10L
$0 $/Stück

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