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RFP12N10L

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 12A TO220-3

RFP12N10L Technisches Datenblatt

compliant

RFP12N10L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.30000 $1.3
10 $1.15600 $11.56
100 $0.91330 $91.33
800 $0.61884 $495.072
1,600 $0.55919 -
8911 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V
rds ein (max) @ id, vgs 200mOhm @ 12A, 5V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 900 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 60W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

ZXMN3A04KTC
DMP1022UFDF-13
DMN2024UFDF-7
RQ5H030TNTL
SQM40061EL_GE3
NVD4806NT4G-VF01
NVD4806NT4G-VF01
$0 $/Stück
SIRA12DP-T1-GE3
NTTFS5C670NLTWG
NTTFS5C670NLTWG
$0 $/Stück

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