Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SIRA12DP-T1-GE3

SIRA12DP-T1-GE3

SIRA12DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

compliant

SIRA12DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.41189 -
6,000 $0.38516 -
15,000 $0.37179 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 25A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.3mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2070 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 4.5W (Ta), 31W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

NTTFS5C670NLTWG
NTTFS5C670NLTWG
$0 $/Stück
BUK9E8R5-40E,127
BUK9E8R5-40E,127
$0 $/Stück
SQM40N10-30_GE3
PSMN057-200B,118
SI4168DY-T1-GE3
FDMS86101DC
FDMS86101DC
$0 $/Stück
RD3P050SNTL1
APT1201R5BVFRG
DMTH4005SCT

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.