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SQM40N10-30_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 40A TO263

compliant

SQM40N10-30_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $1.14708 $917.664
1,600 $1.05270 -
2,400 $0.98010 -
5,600 $0.94380 -
18 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 30mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 62 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3345 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 107W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D²Pak)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

PSMN057-200B,118
SI4168DY-T1-GE3
FDMS86101DC
FDMS86101DC
$0 $/Stück
RD3P050SNTL1
APT1201R5BVFRG
DMTH4005SCT
DMN2013UFDE-7
SI4456DY-T1-E3
RUR020N02TL

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