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IPU60R1K4C6

IPU60R1K4C6

IPU60R1K4C6

N-CHANNEL POWER MOSFET

IPU60R1K4C6 Technisches Datenblatt

nicht konform

IPU60R1K4C6 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.28000 $0.28
500 $0.2772 $138.6
1000 $0.2744 $274.4
1500 $0.2716 $407.4
2000 $0.2688 $537.6
2500 $0.266 $665
2370 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ -
Technologie -
Drain-Source-Spannung (VDSS) -
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart -
Lieferantengerätepaket -
Paket / Koffer -
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Zugehörige Teilenummer

IXTK102N30P
IXTK102N30P
$0 $/Stück
SFT1341-C-TL-E
SFT1341-C-TL-E
$0 $/Stück
IXTN170P10P
IXTN170P10P
$0 $/Stück
STP32N65M5
STP32N65M5
$0 $/Stück
STP2NK100Z
STP2NK100Z
$0 $/Stück
SQJA37EP-T1_BE3
2SK4222
2SK4222
$0 $/Stück
STD3NK60ZT4

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