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IPU95R1K2P7AKMA1

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MOSFET N-CH 950V 6A TO251-3

compliant

IPU95R1K2P7AKMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.76000 $1.76
10 $1.57400 $15.74
100 $1.26100 $126.1
500 $0.99658 $498.29
1,000 $0.80427 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 950 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 140µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 478 pF @ 400 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO251-3
Paket / Koffer TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Zugehörige Teilenummer

FDMS8622
FDMS8622
$0 $/Stück
PSMN004-60B,118
MMSF3P02HDR2SG
MMSF3P02HDR2SG
$0 $/Stück
DMP56D0UFB-7B
FDB0250N807L
FDB0250N807L
$0 $/Stück

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