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IPW65R041CFDFKSA1

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MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3

SOT-23

nicht konform

IPW65R041CFDFKSA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $14.43000 $14.43
10 $13.21200 $132.12
240 $11.38788 $2733.0912
720 $9.86765 $7104.708
1,200 $9.13795 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 68.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 41mOhm @ 33.1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 3.3mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 300 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8400 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 500W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO247-3-1
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

FCP165N65S3
FCP165N65S3
$0 $/Stück
SFP2955
SQJ180EP-T1_GE3
SI7116BDN-T1-GE3
CSD18535KCS
CSD18535KCS
$0 $/Stück
SI2387DS-T1-GE3
IRF7204TRPBF
STF17NF25
STF17NF25
$0 $/Stück
FCD380N60E
FCD380N60E
$0 $/Stück

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