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IPW65R190C7XKSA1

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MOSFET N-CH 650V 13A TO247-3

SOT-23

nicht konform

IPW65R190C7XKSA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
240 $2.93825 $705.18
480 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 13A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 190mOhm @ 5.7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 290µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1150 pF @ 400 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 72W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO247-3
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

NVH4L020N120SC1
NVH4L020N120SC1
$0 $/Stück
IXTA1N170DHV
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$0 $/Stück
IRFR014TRPBF
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$0 $/Stück
IRFP9240
IRFP9240
$0 $/Stück
PSMN012-25YLC,115
IXFK44N50P
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$0 $/Stück

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