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IRF2903ZPBF

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MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB

IRF2903ZPBF Technisches Datenblatt

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IRF2903ZPBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.77325 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 75A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.4mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 150µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 240 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6320 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 290W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

NTP6N60
NTP6N60
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SI3443CDV-T1-BE3
FDP6676S
IXTR140P10T
IXTR140P10T
$0 $/Stück
RD3H080SPTL1
STP22NM60N
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CSD17308Q3T
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FDD86110
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