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IRF3709ZS

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MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK

IRF3709ZS Technisches Datenblatt

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IRF3709ZS Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
250 $2.11436 $528.59
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 87A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.3mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.25V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 26 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2130 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 79W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SI3456CDV-T1-E3
STS12N3LLH5
IRF7455
IRF7455
$0 $/Stück
IXFC80N10
IXFC80N10
$0 $/Stück
SIA850DJ-T1-GE3
IRFIZ48VPBF
BUK7628-55A,118
BUK7628-55A,118
$0 $/Stück
NVATS68301PZT4G
NVATS68301PZT4G
$0 $/Stück

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