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IRF3808PBF

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MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB

IRF3808PBF Technisches Datenblatt

nicht konform

IRF3808PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.69000 $2.69
10 $2.42600 $24.26
100 $1.94910 $194.91
500 $1.51594 $757.97
1,000 $1.25606 -
250 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 75 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 140A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7mOhm @ 82A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 220 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5310 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 330W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

FDB16AN08A0
RD3L03BATTL1
FQPF7N10L
IXFA20N50P3
IXFA20N50P3
$0 $/Stück
FQI2N90TU
SL3401A-TP
FQP85N06
FQP85N06
$0 $/Stück
SIHD3N50DT5-GE3
NTJS3151PT2G
NTJS3151PT2G
$0 $/Stück

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