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IRF530NPBF

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MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB

IRF530NPBF Technisches Datenblatt

nicht konform

IRF530NPBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.96000 $0.96
10 $0.85300 $8.53
100 $0.67380 $67.38
500 $0.52250 $261.25
1,000 $0.41250 -
17957 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 17A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 90mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 37 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 920 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 70W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

NX7002BKHH
NX7002BKHH
$0 $/Stück
STD96N3LLH6
DMP2100UQ-7
R6018VNXC7G
IRF840LCPBF
IRF840LCPBF
$0 $/Stück
PXN9R0-30QLJ
CSD25310Q2
CSD25310Q2
$0 $/Stück

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