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IRF5810

IRF5810

IRF5810

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP

IRF5810 Technisches Datenblatt

compliant

IRF5810 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.9A
rds ein (max) @ id, vgs 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 9.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 650pF @ 16V
Leistung - max. 960mW
Betriebstemperatur -
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket 6-TSOP
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Zugehörige Teilenummer

FW906-TL-E
FW906-TL-E
$0 $/Stück
IRF8910GPBF
SI4226DY-T1-GE3
FDMS3600S
SI4973DY-T1-E3
IRF7503TR
FDW2502PZ

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