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IRF5810TR

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MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

IRF5810TR Technisches Datenblatt

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IRF5810TR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.9A
rds ein (max) @ id, vgs 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 9.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 650pF @ 16V
Leistung - max. 960mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket 6-TSOP
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Zugehörige Teilenummer

STS3C2F100
STS3C2F100
$0 $/Stück
IPI60R199CP
IRF7306TR
EPC2105ENGRT
EPC2105ENGRT
$0 $/Stück
EPC2104ENGRT
EPC2104ENGRT
$0 $/Stück
SIZ900DT-T1-GE3
SIZ916DT-T1-GE3
NDS8926
NDS8926
$0 $/Stück

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