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IRF6201PBF

IRF6201PBF

IRF6201PBF

MOSFET N-CH 20V 27A 8SO

IRF6201PBF Technisches Datenblatt

compliant

IRF6201PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,800 $0.55300 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 27A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 2.45mOhm @ 27A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.1V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 195 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8555 pF @ 16 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SO
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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