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IRF640NSPBF

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MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

IRF640NSPBF Technisches Datenblatt

compliant

IRF640NSPBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.36000 $0.36
500 $0.3564 $178.2
1000 $0.3528 $352.8
1500 $0.3492 $523.8
2000 $0.3456 $691.2
2500 $0.342 $855
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 150mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 67 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1160 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

FQU9N25TU
FQU9N25TU
$0 $/Stück
STF26NM60N
STF26NM60N
$0 $/Stück
STL90N6F7
STL90N6F7
$0 $/Stück
IXFK120N30T
IXFK120N30T
$0 $/Stück
DMS2120LFWB-7
IRFR5410TRPBF
PSMN1R8-30MLHX
SIR624DP-T1-RE3
IRFB7534PBF

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