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Name | Wert |
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Produktstatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 40 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 12.7A (Ta), 55A (Tc) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 4.5V, 10V |
rds ein (max) @ id, vgs | 8.3mOhm @ 12.7A, 10V |
vgs(th) (max) @ ID | 2.25V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 29 nC @ 4.5 V |
vgs (max) | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 2560 pF @ 20 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.1W (Ta), 42W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | DIRECTFET™ ST |
Paket / Koffer | DirectFET™ Isometric ST |
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