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IRF6614TRPBF

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IRF6614TRPBF

MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET

nicht konform

IRF6614TRPBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.45000 $3.45
500 $3.4155 $1707.75
1000 $3.381 $3381
1500 $3.3465 $5019.75
2000 $3.312 $6624
2500 $3.2775 $8193.75
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12.7A (Ta), 55A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.3mOhm @ 12.7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.25V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 29 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2560 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DIRECTFET™ ST
Paket / Koffer DirectFET™ Isometric ST
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Zugehörige Teilenummer

SI1317DL-T1-BE3
PMN16XNEX
PMN16XNEX
$0 $/Stück
SQ4064EY-T1_GE3
IXFH12N90P
IXFH12N90P
$0 $/Stück
AUIRFS4115TRL
SQ3427EV-T1_GE3
FDMS8570SDC
BUK7M12-60EX

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