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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 25 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 17A (Ta), 63A (Tc) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 4.5V, 10V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 3.8mOhm @ 17A, 10V |
| vgs(th) (max) @ ID | 2.35V @ 25µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 20 nC @ 4.5 V |
| vgs (max) | ±20V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 1810 pF @ 13 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta), 26W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DirectFET™ Isometric S1 |
| Paket / Koffer | DirectFET™ Isometric S1 |
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