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IRF7353D2PBF

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IRF7353D2PBF

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO

compliant

IRF7353D2PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 29mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 650 pF @ 25 V
FET-Funktion Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) 2W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SO
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

FQPF14N30
FQPF14N30
$0 $/Stück
AUIRFS3107
BUK6Y15-40PX
SUM85N03-06P-E3
IXTP5N50P
IXTP5N50P
$0 $/Stück
BUK9M5R2-30E115
IRF3704LPBF
FQD5P20TF
FQD5P20TF
$0 $/Stück
MIC94052BC6TR

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